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Siehe Technische Spezifikationen

CY7C1324H-133AXC +BOM

Reliable cache memory solution for system-on-chip (SoC) design

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY7C1324H-133AXC
Datenblatt:

CY7C1324H-133AXC Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Synchronous, SDR
Memory Size:

2Mbit
EDA/CAD Modelle:

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CY7C1324H-133AXC Allgemeine Beschreibung

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 2Mbit Parallel 133 MHz 6.5 ns 100-TQFP (14x20)

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Synchronous, SDR	Memory Size	2Mbit
Memory Organization	128K x 18	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	133 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	-
Access Time	6.5 ns	Voltage - Supply	3.15V ~ 3.6V
Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	CY7C1324	Product Category	SRAM
Organization	128 k x 18	Maximum Clock Frequency	133 MHz
Interface Type	Parallel	Supply Voltage - Max	3.6 V
Supply Voltage - Min	3.135 V	Supply Current - Max	225 mA
Minimum Operating Temperature	0 C	Maximum Operating Temperature	+ 70 C
Mounting Style	SMD/SMT	Data Rate	SDR
Moisture Sensitive	Yes	Number of Ports	2
Product Type	SRAM	Factory Pack Quantity	72
Subcategory	Memory & Data Storage	Type	Synchronous
Unit Weight	0.023175 oz

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