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Siehe Technische Spezifikationen

D1013UK +BOM

Trans RF MOSFET N-CH 70V 5A 3-Pin Case DP

Hersteller:

TT Electronics
Herstellerteil #:

D1013UK
Datenblatt:

D1013UK Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

70 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an D1013UK

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	70 V	Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Operating Frequency	500 MHz	Gain	13 dB
Output Power	20 W	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Height	5.08 mm
Length	18.92 mm	Pd - Power Dissipation	50 W
Product Type	RF MOSFET Transistors	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	DMOS FET	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V to 7 V
Width	6.35 mm

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