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Siehe Technische Spezifikationen

DD260N12K +BOM

MODULE-3 Silicon Rectifier Diode with 260A, 1200V V(RRM), 1 Phase, 2 Element

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

DD260N12K
Datenblatt:

DD260N12K Datenblatt (PDF)
Product:

Thyristor Power Modules
Type:

Rectifier Diode Module
Technology:

Si
Vr - Reverse Voltage:

1.2 kV

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

DD260N12K Allgemeine Beschreibung

Widely utilized across various industries such as manufacturing, automotive, and renewable energy, the DD260N12K is a versatile solution for applications requiring high power and frequency capabilities. Trust in this IGBT module for top-notch performance and peace of mind in your industrial operations

Spezifikationen

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Thyristor Power Modules
Type	Rectifier Diode Module	Technology	Si
Vr - Reverse Voltage	1.2 kV	Mounting Style	Screw Mount
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	DD260N	Configuration	Series Connection - 2 Diodes
Gate Trigger Current - Igt	30 mA	Output Current	410 A
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Factory Pack Quantity	3
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Part # Aliases	SP000096742 DD260N12KHPSA1
Unit Weight	1.764 lbs

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