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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DRV5013ADQDBZR +BOM

High voltage (up to 38-V), high bandwidth (30-kHz) Hall effect latch

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

DRV5013ADQDBZR
Datenblatt:

DRV5013ADQDBZR Datenblatt (PDF)
Type:

Latch
Operate Point (typ) (mT):

1.3, 2.7, 6, 12
Operate Point (max) (mT):

3.4, 5, 9, 18
Release Point (min) (mT):

-18, -9, -5, -3.4
EDA/CAD Modelle:

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DRV5013ADQDBZR Allgemeine Beschreibung

The DRV5013ADQDBZR Hall Effect Sensor by Texas Instruments is a versatile and efficient component designed to meet the demands of modern electronic systems. Its latching Hall Effect type ensures precise output current of 30mA, while the SOT-23 sensor case style and 3-pin configuration simplify installation and connectivity. With a supply voltage range of 2.5V to 38V, this sensor can accommodate a wide range of power requirements, making it suitable for various applications. Operating at temperatures as low as -40°C, this sensor is built to withstand harsh environments and deliver reliable performance. Additionally, its RoHS compliance underscores Texas Instruments' commitment to environmental sustainability

Hauptmerkmale

Versatile power solutions

Anwendung

IndustrialSensing & InstrumentationMotor Drive & ControlTest & Measurement

Spezifikationen

Type	Latch	Operate point (typ) (mT)	1.3, 2.7, 6, 12
Operate point (max) (mT)	3.4, 5, 9, 18	Release point (min) (mT)	-18, -9, -5, -3.4
Supply current (µA)	2700	Bandwidth (kHz)	30
Supply voltage (min) (V)	2.5	Supply voltage (max) (V)	38
Rating	Catalog	Operating temperature range (°C)	-40 to 125, -40 to 150
Output	Open drain

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