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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DRV5053VAQDBZR +BOM

High voltage (up to 38V), linear hall effect sensor

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

DRV5053VAQDBZR
Datenblatt:

DRV5053VAQDBZR Datenblatt (PDF)
Type:

Bipolar
Sensitivity (typ) (V/mT):

-90, -45, -23, -11, 23, 45
Accuracy (%):

70
Bandwidth (kHz):

20
EDA/CAD Modelle:

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DRV5053VAQDBZR Allgemeine Beschreibung

Whether you need precise magnetic field detection in automotive systems, consumer electronics, or industrial equipment, the DRV5053VAQDBZR is designed to meet your requirements with exceptional performance and durability. Its advanced features and extensive protection capabilities make it a standout choice for applications where accuracy, stability, and reliability are paramount

Hauptmerkmale

Surface-mount friendly package
Through-hole option for easy installation
Compact design saves space

Spezifikationen

Type	Bipolar	Sensitivity (typ) (V/mT)	-90, -45, -23, -11, 23, 45
Accuracy (%)	70	Bandwidth (kHz)	20
Output	0.2 V to 1.8 V	Supply voltage (min) (V)	2.5
Supply voltage (max) (V)	38	Rating	Catalog
Operating temperature range (°C)	-40 to 125

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..