Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DTA143ESATP +BOM

Device DTA143ESATP: Single-Element Bipolar Transistor

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

DTA143ESATP
Datenblatt:

DTA143ESATP Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

PNP
Typical Input Resistor:

4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:

1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

DTA143ESATP Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT

Hauptmerkmale

1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio	1	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	30	Continuous Collector Current	100 mA
Peak DC Collector Current	100 mA	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Height	3 mm
Length	4 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Width	2 mm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..