Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

E4D20120G +BOM

1-Phase Silicon Carbide Schottky Rectifier Diode, 1 Element, 56A, 1200V V(RRM), TO-263AB, 2 PIN Configuration

Hersteller:

Wolfspeed, Inc.
Herstellerteil #:

E4D20120G
Datenblatt:

E4D20120G Datenblatt (PDF)
Series:

E-Series
Technology:

SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

1200 V
Current - Average Rectified (Io):

56A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an E4D20120G

E4D20120G Allgemeine Beschreibung

With its Silicon Carbide construction, this diode is well-suited for high-temperature and high-frequency applications where traditional silicon diodes may fall short. Its TO-263AB package is designed for thermal efficiency and easy mounting on a circuit board

Spezifikationen

Series	E-Series	Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V	Current - Average Rectified (Io)	56A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 20 A	Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns	Current - Reverse Leakage @ Vr	200 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F	1474pF @ 0V, 1MHz	Grade	Automotive
Mounting Type	Surface Mount	Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Base Product Number	E4D20120

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..