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Siehe Technische Spezifikationen

FFSM1065B +BOM

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, Power88

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

FFSM1065B
Datenblatt:

FFSM1065B Datenblatt (PDF)
Case Outline:

483AP
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FFSM1065B

FFSM1065B Allgemeine Beschreibung

With its cutting-edge technology and superior performance characteristics, Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes emerge as a game-changer in the realm of power semiconductors. The innovative design of SiC diodes ensures enhanced switching performance, superior reliability, and temperature-independent operation when compared to conventional Silicon diodes. These unique features translate into a range of system benefits, including increased efficiency, faster operating frequencies, higher power density, reduced EMI, and cost savings due to smaller system sizes. As a next-generation power semiconductor, Silicon Carbide diodes offer a promising solution for applications that demand improved performance and efficiency. By leveraging the advantages of SiC technology, engineers and designers can propel their systems towards higher levels of performance and reliability

Hauptmerkmale

No Toxic Substances or Materials
Fast Response Time for Real-Time Applications
Surface Mount Technology for Easy Installation
High-temperature Soldering Capability
Precise Current Control for Accurate Power Management
Compact and Lightweight for Portable Devices

Anwendung

Real estate
Food industry
Aviation

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	483AP
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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