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Siehe Technische Spezifikationen

FFSP20120A +BOM

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-220-2L

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FFSP20120A
Datenblatt:

FFSP20120A Datenblatt (PDF)
Product:

Schottky Silicon Carbide Diodes
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Technology:

SiC
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FFSP20120A

FFSP20120A Allgemeine Beschreibung

The TO-220-2L package design of the FFSP20120A allows for easy mounting and thermal management, ensuring that the diode operates within its specified temperature range for long-term reliability. This makes it a top choice for demanding industrial and automotive applications

Hauptmerkmale

Max Junction Temperature 175°C
Avalanche Rated 200 mJ
High Surge Current Capacity
Positive Temperature Coefficient
Ease of Paralleling
No Reverse Recovery / No Forward Recovery

Spezifikationen

Product Category	Schottky Diodes & Rectifiers	Product	Schottky Silicon Carbide Diodes
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Technology	SiC	If - Forward Current	20 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage	1.2 kV	Vf - Forward Voltage	1.45 V
Ifsm - Forward Surge Current	135 A	Ir - Reverse Current	200 uA
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Series	FFSP20120A	Pd - Power Dissipation	340 W
Product Type	Schottky Diodes & Rectifiers	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	Diodes & Rectifiers	Vr - Reverse Voltage	1.2 kV
Unit Weight	0.076192 oz

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