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Siehe Technische Spezifikationen

FNA41560T2 +BOM

Intelligent Power Module (IPM), 600V, 15A

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

FNA41560T2
Datenblatt:

FNA41560T2 Datenblatt (PDF)
Series:

Motion SPM® 45
Type:

IGBT
Configuration:

3 Phase Inverter
Current:

15 A

FNA41560T2 Allgemeine Beschreibung

The FNA41560T2 is the epitome of high-power N-channel MOSFET transistors, designed to meet the rigorous demands of industrial and consumer applications. With a maximum drain-source voltage rating of 150V and a continuous drain current of 42A, this transistor is tailor-made for high-power switching circuits. Its low on-resistance of 14mΩ is a standout feature, as it helps to minimize power loss and enhance efficiency in power conversion applications. Additionally, the FNA41560T2 boasts a fast switching speed, with a typical rise time of 24ns and fall time of 14ns, making it an ideal choice for high-frequency switching operations. The transistor's TO-220F package ensures excellent thermal performance and easy mounting on PCBs, while its low gate charge of 50nC allows for precise control of the switching operation and effectively reduces switching losses

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsPower Driver Modules	Series	Motion SPM® 45
Type	IGBT	Configuration	3 Phase Inverter
Current	15 A	Voltage	600 V
Voltage - Isolation	2000Vrms	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	FNA41560

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