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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FODM2701R2 +BOM

4-Pin Full Pitch Mini-Flat Package Phototransistor Optocouplers

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FODM2701R2
Datenblatt:

FODM2701R2 Datenblatt (PDF)
Number Of Channels:

1
Voltage - Isolation:

3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min):

50% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Max):

300% @ 5mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FODM2701R2

FODM2701R2 Allgemeine Beschreibung

In the realm of infrared technology, the FODM2701R2 shines as part of the FODM121 series alongside the FODM124 and FODM2701. With a gallium arsenide infrared emitting diode driving a phototransistor, these products are housed in a compact 4-pin mini-flat package with a 2.54 mm lead pitch. The FODM2705, featuring two gallium arsenide infrared emitting diodes connected in inverse parallel, caters to AC operation needs

Hauptmerkmale

Wide Operating Temperature Range
Robust Design with High Reliability
Molded Plastic Case for Protection

Anwendung

Compact and versatile
Highly efficient design
Reliable performance

Spezifikationen

Number of Channels	1	Voltage - Isolation	3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA	Current Transfer Ratio (Max)	300% @ 5mA
Rise / Fall Time (Typ)	3µs, 3µs	Input Type	DC
Output Type	Transistor	Voltage - Output (Max)	40V
Current - Output / Channel	80mA	Voltage - Forward (Vf) (Typ)	1.4V (Max)
Current - DC Forward (If) (Max)	50 mA	Vce Saturation (Max)	300mV
Operating Temperature	-40°C ~ 110°C	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	FODM2701

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