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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IDT12S60C +BOM

Schottky Diodes & Rectifiers

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IDT12S60C
Datenblatt:

IDT12S60C Datenblatt (PDF)
Technology:

SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

600 V
Current - Average Rectified (Io):

12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

1.7 V @ 12 A
EDA/CAD Modelle:

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IDT12S60C Allgemeine Beschreibung

Diode 600 V 12A Through Hole PG-TO220-2-2

Hauptmerkmale

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery/ No forward recovery
No temperature influence on the switching behavior
High surge current capability
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Breakdown voltage tested at 5mA2)

Spezifikationen

Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Current - Average Rectified (Io)	12A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 12 A
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	160 µA @ 600 V	Capacitance @ Vr, F	530pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole	Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C

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