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IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 273 W Through Hole PG-TO247-3
TO-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IKW50N65ET7XKSA1
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
[email protected],
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IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 273 W Through Hole PG-TO247-3
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.35 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Pd - Power Dissipation | 273 W | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | TRENCHSTOP IGBT7 T7 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 240 | Subcategory | IGBTs |
Tradename | TRENCHSTOP | Part # Aliases | IKW50N65ET7 SP005348292 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.