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Siehe Technische Spezifikationen

IPD50N03S2-07

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPD50N03S2-07
Datenblatt:

IPD50N03S2-07 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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IPD50N03S2-07 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	50 A	Rds On - Drain-Source Resistance	7.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	68 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	136 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	OptiMOS	Configuration	Single
Fall Time	30 ns	Height	2.3 mm
Length	6.5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	40 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns	Typical Turn-On Delay Time	18 ns
Width	6.22 mm	Part # Aliases	IPD5N3S27XT SP000254462 IPD50N03S207ATMA1
Unit Weight	0.011640 oz

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