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IRLZ44N +BOM

N-channel power MOSFET with low on-resistance and high current capacity

IRLZ44N Allgemeine Beschreibung

When it comes to selecting the right MOSFET for your project, the IRLZ44N stands out for its proven silicon processes and high-quality construction. With a diverse portfolio of devices to choose from, designers have the flexibility to optimize their designs for performance and cost-effectiveness. From lighting applications to load switches, this MOSFET is a trusted choice for professionals in the field of power electronics. Its robust design and reliability make it a go-to solution for demanding applications

Infineon Inventar

Hauptmerkmale

LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Infineon Originalbestand

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Mounting THT Polarity N
Ptot max 83.0 W Tj max 175.0 °C
VGS max 16.0 V RthJC max 1.8 K/W
VDS max 55.0 V RDS (on) max 35.0 mΩ
VGS(th) max 2.0 V VGS(th) min 1.0 V
ID max 47.0 A Operating Temperature max 175.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

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