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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFB4310Z +BOM

Rugged and reliable semiconductor device for demanding application

Hersteller:

infineon
Herstellerteil #:

IRFB4310Z
Datenblatt:

IRFB4310Z Datenblatt (PDF)
Mounting:

THT
Ptot Max:

250.0 W
Tj Max:

175.0 °C
VGS Max:

20.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFB4310Z

IRFB4310Z Allgemeine Beschreibung

The IRFB4310Z power MOSFET is an excellent choice for high-power applications that require reliable and efficient performance. With a voltage rating of 100V and a continuous drain current of 120A, this MOSFET is capable of handling demanding tasks with ease. Its low on-state resistance of 3.5 mΩ ensures minimal power loss and heat generation, making it an energy-efficient option for various applications. Additionally, its fast switching speed adds to its appeal, making it suitable for applications that necessitate quick transitions between on and off states. Thanks to its TO-220 package, installation and heat dissipation are streamlined, promoting the longevity and dependability of the MOSFET

Spezifikationen

Mounting	THT	Ptot max	250.0 W
Tj max	175.0 °C	VGS max	20.0 V
Polarity	N	RthJC max	0.6 K/W
VDS max	100.0 V	RDS (on) max	6.0 mΩ
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	2.0 V
ID max	127.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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