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Siehe Technische Spezifikationen

IXBT42N170 +BOM

IGBT 1700 V 80 A 360 W Surface Mount TO-268AA

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXBT42N170
Datenblatt:

IXBT42N170 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.7 kV
EDA/CAD Modelle:

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IXBT42N170 Allgemeine Beschreibung

In conclusion, the development of BiMOSFETs like the IXBT42N170 marks a significant milestone in the evolution of power semiconductor devices. Their advanced features, including the positive voltage temperature coefficient, parallel operation capabilities, and intrinsic diode protection, demonstrate the continuous innovation in the field of semiconductor technology. As these devices continue to gain recognition for their performance and reliability, they are poised to play a crucial role in powering the next generation of high voltage applications

Hauptmerkmale

Advanced thermal management
Efficient power distribution
Simplified circuit design

Anwendung

Industrial power supplies
Electronic control units
Automotive ignition systems

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.7 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	80 A
Pd - Power Dissipation	360 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXBT42N170
Continuous Collector Current	70 A	Continuous Collector Current Ic Max	75 A
Height	5.1 mm	Length	16.05 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	IGBTs	Tradename	BIMOSFET
Width	14 mm	Unit Weight	0.158733 oz

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