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IXGH60N60C2 +BOM

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IXGH60N60C2 Allgemeine Beschreibung

The GenX3™ IGBTs series, represented by the IXGH60N60C2 product, is a game-changer in the field of switching applications. With a voltage range spanning from 300V to 1200V, these IGBTs offer power designers a new level of flexibility and performance. By utilizing Punch-Through technology, these devices exhibit lower conduction losses and higher surge current capabilities compared to traditional power MOSFETs. The 300V devices are capable of switching frequencies up to 150 kHz, while the 600V models are optimized for frequencies upwards of 200 kHz. For applications requiring even higher voltage capabilities, the 1200V devices provide lower saturation voltages and switching losses

ixgh60n60c2 ixgh60n60c2

Hauptmerkmale

  • Compact size with low profile
  • Wide operating temperature range
  • Low noise emission
  • High reliability & durability
ixgh60n60c2 ixgh60n60c2

Anwendung

  • Advanced SMPS technology
  • Efficient PFC circuits
  • Fast battery chargers
ixgh60n60c2 ixgh60n60c2

Spezifikationen

Status Phase Out/Obsolete VCES - Collector-Emitter Voltage (V) 600
Collector Current @ 25 ℃ (A) 75 VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2.5
Fall Time [Inductive Load] (ns) 35 Configuration Single
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W) 0.26 Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ) 1.2
Collector Current @ 110 ℃ (A) 60 Replaced By Part Number IXYH60N90C3

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E
E**a 03.15.2020

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