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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXYP20N65C3D1 +BOM

Silicon Insulated Gate Bipolar Transistor semiconductor chip designed for high power applications

Hersteller:

LITTELFUSE INC
Herstellerteil #:

IXYP20N65C3D1
Datenblatt:

IXYP20N65C3D1 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

COLLECTOR
Collector Current-Max (IC):

50 A
EDA/CAD Modelle:

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IXYP20N65C3D1 Allgemeine Beschreibung

IGBT PT 650 V 50 A 200 W Through Hole TO-220-3

Hauptmerkmale

Optimized for 20-60kHz Switching
Plastic Overmolded Tab for Electrical Isolation
Square RBSOA
Avalanche Rated
Anti-Parallel Fast Diode
Short Circuit Capability
Advantages
High Power Density
Extremely Rugged
Low Gate Drive Requirement

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	50 A	Collector-Emitter Voltage-Max	650 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Thr Voltage-Max	6 V
Gate-Emitter Voltage-Max	20 V	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	200 W	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	132 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	51 ns
VCEsat-Max	2.5 V	Series	GenX3™, XPT™
IGBT Type	PT	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Current - Collector (Ic) (Max)	50 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	105 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 20A	Power - Max	200 W
Switching Energy	430µJ (on), 350µJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	30 nC	Td (on/off) @ 25°C	19ns/80ns
Test Condition	400V, 20A, 20Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	135 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IXYP20

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