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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4B2G0846D-HYK0 +BOM

Reliable and versatile memory solution suitable for various electronic devices"

Hersteller:

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Herstellerteil #:

K4B2G0846D-HYK0
Datenblatt:

K4B2G0846D-HYK0 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.36
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4B2G0846D-HYK0

Hauptmerkmale

JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V)
VDDQ = 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V)
400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin
8 Banks
Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11
Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock
Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5(DDR3-800), 6(DDR3-1066), 7(DDR3-1333) and 8(DDR3-1600)
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS]
Bi-directional Differential Data-Strobe
Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
On Die Termination using ODT pin
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
Asynchronous Reset

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Access Time-Max	0.225 ns	Clock Frequency-Max (fCLK)	800 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	8
JESD-30 Code	R-PBGA-B78	Memory Density	2147483648 bit
Memory IC Type	DDR3L DRAM	Memory Width	8
Number of Terminals	78	Number of Words	268435456 words
Number of Words Code	256000000	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min		Organization	256MX8
Output Characteristics	3-STATE	Power Supplies	1.35 V
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Sequential Burst Length	8	Standby Current-Max	0.01 A
Supply Current-Max	0.125 mA	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.35 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	OTHER	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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