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Siehe Technische Spezifikationen

K4B2G1646E-BCK0 +BOM

With its high-speed data processing capabilities, this DRAM chip is ideal for applications that require efficient memory performance

Hersteller:

Samsung Electronics
Herstellerteil #:

K4B2G1646E-BCK0
Datenblatt:

K4B2G1646E-BCK0 Datenblatt (PDF)
Feature-organization:

128Mx16
Feature-maximum-access-time-ns:

0.225
Feature-minimum-operating-supply-voltage-v:

1.425
Feature-maximum-operating-supply-voltage-v:

1.575
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4B2G1646E-BCK0

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen K4B2G1646E-BCK0-Treiber von Samsung Electronics an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung K4B2G1646E-BCK0.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

feature-organization	128Mx16	feature-maximum-access-time-ns	0.225
feature-minimum-operating-supply-voltage-v	1.425	feature-maximum-operating-supply-voltage-v	1.575
feature-process-technology		feature-maximum-operating-current-ma	131
feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count	96	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..