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K4B2G1646Q-BCK0000 +BOM
This product is a DDR3 SDRAM DRAM chip with a capacity of 2Gbit, organized as 128Mx16 and operates at 1.5V."
FBGA-
Hersteller:
Samsung Electronics
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Herstellerteil #:
K4B2G1646Q-BCK0000
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Datenblatt:
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ECCN (US):
EAR99
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Automotive:
No
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PPAP:
No
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DRAM Type:
DDR3 SDRAM
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 9702 Stck
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Spezifikationen
ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Obsolete |
Automotive | No | PPAP | No |
DRAM Type | DDR3 SDRAM | Chip Density (bit) | 2G |
Organization | 128Mx16 | Number of Internal Banks | 8 |
Number of Words per Bank | 16M | Number of Bits/Word (bit) | 16 |
Data Bus Width (bit) | 16 | Maximum Clock Rate (MHz) | 1600 |
Maximum Access Time (ns) | 0.225 | Address Bus Width (bit) | 17 |
Interface Type | SSTL_1.5 | Minimum Operating Supply Voltage (V) | 1.425 |
Maximum Operating Supply Voltage (V) | 1.575 | Operating Current (mA) | 159 |
Minimum Operating Temperature (°C) | 0 | Maximum Operating Temperature (°C) | 95 |
Supplier Temperature Grade | Commercial | Number of I/O Lines (bit) | 16 |
Mounting | Surface Mount | PCB changed | 96 |
Pin Count | 96 |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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In Stock: 9.702
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