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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4B4G1646D-BHMA +BOM

Built with complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology for efficient power consumption

Hersteller:

Samsung Electronics
Herstellerteil #:

K4B4G1646D-BHMA
Datenblatt:

K4B4G1646D-BHMA Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8542.32.00.36
Automotive:

No
PPAP:

No
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4B4G1646D-BHMA

K4B4G1646D-BHMA Allgemeine Beschreibung

K4B4G1646D-BHMA is a specific model number (part number) for an electronic component known as a synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip. It is manufactured by Samsung.

Hauptmerkmale

Capacity: This specific chip has a capacity of 4Gb (gigabits), which translates to 512MB (megabytes).
Organization: The chip is organized as 512M x 8 bits, meaning it has 512 million memory cells that can store 8 bits each.
Speed: It operates at a frequency of 2133 MHz (megahertz), which offers fast data transfer rates.
Voltage: The chip operates at a voltage of 2V.

Anwendung

The K4B4G1646D-BHMA SDRAM chip is commonly used in various electronic devices, including but not limited to:
Personal computers
Laptops
Workstations
Servers
Networking equipment
Graphics cards
Gaming consoles
Televisions and displays

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
HTS	8542.32.00.36	Automotive	No
PPAP	No	DRAM Type	DDR3 SDRAM
Chip Density (bit)	4G	Organization	256Mx16
Number of Bits/Word (bit)	16	Data Bus Width (bit)	16
Maximum Clock Rate (MHz)	1866	Typical Operating Supply Voltage (V)	1.35
Minimum Operating Temperature (°C)	-40	Maximum Operating Temperature (°C)	105
Number of I/O Lines (bit)	16	Mounting	Surface Mount
PCB changed	96	Pin Count	96

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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