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Siehe Technische Spezifikationen

K4B4G1646E-BYK000 +BOM

GB Parallel Memory IC for data-intensive systems

Hersteller:

Samsung Semiconductor, Inc.
Herstellerteil #:

K4B4G1646E-BYK000
Datenblatt:

K4B4G1646E-BYK000 Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

DRAM
Memory Size:

4Gbit

K4B4G1646E-BYK000 Allgemeine Beschreibung

Memory IC 4Gbit Parallel 800 MHz

Spezifikationen

Series	-	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Volatile	Memory Format	DRAM
Memory Size	4Gbit	Memory Organization	256M x 16
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	800 MHz
Voltage - Supply	1.35V	Operating Temperature	0°C ~ 95°C
Mounting Type	Surface Mount

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