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K4H511638D-UCB3 +BOM

High-performance DDR DRAM suitable for various applications

  • Hersteller:

    Samsung Semiconductor

  • Herstellerteil #:

    K4H511638D-UCB3

  • Datenblatt:

    K4H511638D-UCB3 Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Pbfree Code:

    Yes

  • Part Life Cycle Code:

    Obsolete

  • ECCN Code:

    EAR99

  • HTS Code:

    8542.32.00.28

K4H511638D-UCB3 Allgemeine Beschreibung

The Samsung K4H511638D-UCB3 DDR2 SDRAM module is a reliable and high-performance memory solution designed for desktop computers. With a capacity of 512MB and a clock speed of 333MHz, this module is perfect for handling multitasking, gaming, and other resource-intensive applications. Its compatibility with systems that support DDR2 SDRAM memory makes it a versatile and convenient option for users looking to enhance their system's capabilities without any hassle

Hauptmerkmale

  • Simplified installation
  • Easy configuration
  • Fully compatible
  • Long lifespan

Anwendung

  • Stay ahead of the curve
  • Enable future innovation
  • Optimize performance

Spezifikationen

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Obsolete
ECCN Code EAR99 HTS Code 8542.32.00.28
Access Time-Max 0.7 ns Clock Frequency-Max (fCLK) 166 MHz
I/O Type COMMON Interleaved Burst Length 2,4,8
JESD-30 Code R-PDSO-G66 JESD-609 Code e6
Memory Density 536870912 bit Memory IC Type DDR1 DRAM
Memory Width 16 Moisture Sensitivity Level 2
Number of Terminals 66 Number of Words 33554432 words
Number of Words Code 32000000 Operating Temperature-Max 70 °C
Organization 32MX16 Output Characteristics 3-STATE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Power Supplies 2.5 V
Qualification Status Not Qualified Refresh Cycles 8192
Sequential Burst Length 2,4,8 Standby Current-Max 0.005 A
Supply Current-Max 0.38 mA Supply Voltage-Nom (Vsup) 2.5 V
Surface Mount YES Technology CMOS
Temperature Grade COMMERCIAL Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING Terminal Pitch 0.635 mm
Terminal Position DUAL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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