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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4H511638J-LCCC +BOM

French Electronic Distributor since 1988

Hersteller:

samsung
Herstellerteil #:

K4H511638J-LCCC
Datenblatt:

K4H511638J-LCCC Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

TSOP-66
Produktart:

Memory
RoHS:
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4H511638J-LCCC

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333
VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16)
Four banks operation
Differential clock inputs(CK and CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
MRS cycle with address key programs
-. Read latency : DDR266(2, 2.5 Clock), DDR333(2.5 Clock), DDR400(3 Clock)
-. Burst length (2, 4, 8)
-. Burst type (sequential & interleave)
All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)
Data I/O transactions on both edges of data strobe
Edge aligned data output, center aligned data input
LDM,UDM for write masking only (x16)
DM for write masking only (x4, x8)
Auto & Self refresh
7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Maximum burst refresh cycle : 8
66pin TSOP II Pb-Free package
RoHS compliant

Spezifikationen

Product Category

IC Chips

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..