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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4T1G084QE-HCF7 +BOM

High-density memory module with 0.4ns speed

Hersteller:

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Herstellerteil #:

K4T1G084QE-HCF7
Datenblatt:

K4T1G084QE-HCF7 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.32
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4T1G084QE-HCF7

Hauptmerkmale

JEDEC standard VDD= 1.8V ± 0.1V Power Supply
VDDQ= 1.8V ± 0.1V
333MHz fCKfor 667Mb/sec/pin, 400MHz fCKfor 800Mb/sec/pin
8 Banks
Posted CAS
Programmable CASLatency: 3, 4, 5, 6
Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5
Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)
Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
On Die Termination
Special Function Support
- 50ohm ODT
- High Temperature Self-Refresh rate enable
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.32	Access Mode	MULTI BANK PAGE BURST
Access Time-Max	0.4 ns	Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH
Clock Frequency-Max (fCLK)	400 MHz	I/O Type	COMMON
Interleaved Burst Length	4,8	JESD-30 Code	R-PBGA-B60
Length	9.5 mm	Memory Density	1073741824 bit
Memory IC Type	DDR2 DRAM	Memory Width	8
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	60
Number of Words	134217728 words	Number of Words Code	128000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min		Organization	128MX8
Output Characteristics	3-STATE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Power Supplies	1.8 V	Qualification Status	Not Qualified
Refresh Cycles	8192	Seated Height-Max	1.2 mm
Self Refresh	YES	Sequential Burst Length	4,8
Supply Current-Max	0.17 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.9 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	OTHER	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM
Width	7.5 mm

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