Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4T1G084QF-BCE6 +BOM

Ddr Dram, 128MX8, 0.45NS, Cmos, PBGA60

Hersteller:

HYNIX
Herstellerteil #:

K4T1G084QF-BCE6
Datenblatt:

K4T1G084QF-BCE6 Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

FBGA-60
RoHS:
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4T1G084QF-BCE6

Hauptmerkmale

JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply
VDDQ = 1.8V ± 0.1V
333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
8 Banks
Posted CAS
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5
Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)
Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
On Die Termination
Special Function Support
- 50ohm ODT
- High Temperature Self-Refresh rate enable
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant

Spezifikationen

Product Category

IC Chips

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..