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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4T1G084QF-BCF7 +BOM

High-speed CMOS technology

Hersteller:

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Herstellerteil #:

K4T1G084QF-BCF7
Datenblatt:

K4T1G084QF-BCF7 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.32
Access Time-Max:

0.4 ns
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4T1G084QF-BCF7

Hauptmerkmale

JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply
VDDQ = 1.8V ± 0.1V
333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
8 Banks
Posted CAS
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5
Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)
Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
On Die Termination
Special Function Support
- 50ohm ODT
- High Temperature Self-Refresh rate enable
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.32
Access Time-Max	0.4 ns	Clock Frequency-Max (fCLK)	400 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	4,8
JESD-30 Code	R-PBGA-B60	Memory Density	1073741824 bit
Memory IC Type	DDR2 DRAM	Memory Width	8
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Terminals	60
Number of Words	134217728 words	Number of Words Code	128000000
Organization	128MX8	Output Characteristics	3-STATE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Power Supplies	1.8 V
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Sequential Burst Length	4,8	Supply Current-Max	0.16 mA
Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V	Surface Mount	YES
Technology	CMOS	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM

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