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Siehe Technische Spezifikationen

K4T1G084QJ-BCE7 +BOM

1.8V 60-Pin FBGA

Hersteller:

Samsung Electronics
Herstellerteil #:

K4T1G084QJ-BCE7
Datenblatt:

K4T1G084QJ-BCE7 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
DRAM Type:

DDR2 SDRAM
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4T1G084QJ-BCE7

K4T1G084QJ-BCE7 Allgemeine Beschreibung

Experience the power and reliability of the K4T1G084QJ-BCE7 from Samsung, a superior 1-gigabit DDR3 SDRAM chip designed for exceptional performance in today's fast-paced computing environment. With its high-speed operation, efficient organization, and advanced features, this chip is the perfect solution for demanding memory needs in a variety of electronic devices. From servers to laptops to desktop computers, the K4T1G084QJ-BCE7 delivers unparalleled performance and reliability, ensuring that your system runs smoothly and efficiently at all times. Upgrade to the K4T1G084QJ-BCE7 and discover the difference that premium memory can make in your computing experience

Hauptmerkmale

Fully Integrated DDR2 Memory Controller
High Speed Data Transfer Support
Advanced Power Management and Control

Anwendung

Sport trackers
Video projectors
E-cigarette devices

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
DRAM Type	DDR2 SDRAM	Chip Density (bit)	1G
Organization	128Mx8	Number of Internal Banks	8
Number of Words per Bank	16M	Number of Bits/Word (bit)	8
Data Bus Width (bit)	8	Maximum Clock Rate (MHz)	800
Maximum Access Time (ns)	0.4	Address Bus Width (bit)	17
Interface Type	SSTL_1.8	Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.7
Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.9	Operating Current (mA)	65
Minimum Operating Temperature (°C)	0	Maximum Operating Temperature (°C)	95
Supplier Temperature Grade	Commercial	Number of I/O Lines (bit)	8
Mounting	Surface Mount	PCB changed	60
Pin Count	60	Lead Shape	Ball

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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