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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4T51163QG-HCF7 +BOM

DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

Hersteller:

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Herstellerteil #:

K4T51163QG-HCF7
Datenblatt:

K4T51163QG-HCF7 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.28
Access Time-Max:

0.4 ns
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4T51163QG-HCF7

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply
VDDQ = 1.8V ± 0.1V
200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
4 Banks
Posted CAS
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5
Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
Burst Length: 4 , 8(Interleave/Nibble sequential)
Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)
Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
On Die Termination
Special Function Support
-50ohm ODT
-High Temperature Self-Refresh rate enable
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.28
Access Time-Max	0.4 ns	Clock Frequency-Max (fCLK)	400 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	4,8
JESD-30 Code	R-PBGA-B84	JESD-609 Code	e1
Memory Density	536870912 bit	Memory IC Type	DDR2 DRAM
Memory Width	16	Moisture Sensitivity Level	3
Number of Terminals	84	Number of Words	33554432 words
Number of Words Code	32000000	Operating Temperature-Max	95 °C
Operating Temperature-Min		Organization	32MX16
Output Characteristics	3-STATE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Power Supplies	1.8 V	Qualification Status	Not Qualified
Refresh Cycles	8192	Sequential Burst Length	4,8
Standby Current-Max	0.008 A	Supply Current-Max	0.275 mA
Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V	Surface Mount	YES
Technology	CMOS	Temperature Grade	OTHER
Terminal Finish	Tin/Silver/Copper (Sn97.0Ag2.5Cu0.5)	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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