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Siehe Technische Spezifikationen

K4T51163QJ-BCE6 +BOM

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA

Hersteller:

SAMSUNG
Herstellerteil #:

K4T51163QJ-BCE6
Datenblatt:

K4T51163QJ-BCE6 Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

BGA-84
RoHS:
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4T51163QJ-BCE6

Hauptmerkmale

JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply
VDDQ = 1.8V ± 0.1V
200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
4 Banks
Posted CAS
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5
Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)
Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
On Die Termination
Special Function Support
-PASR(Partial Array Self Refresh)
-50ohm ODT
-High Temperature Self-Refresh rate enable
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
All of Lead-free products are compliant for RoHS

Spezifikationen

Product Category

IC Chips

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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