Bezahlverfahren
K4W1G1646E-HC12 +BOM
DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96
BGA-
Hersteller:
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
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Herstellerteil #:
K4W1G1646E-HC12
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Datenblatt:
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Part Life Cycle Code:
Obsolete
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ECCN Code:
EAR99
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HTS Code:
8542.32.00.32
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Access Time-Max:
0.225 ns
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7072 Stck
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Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen K4W1G1646E-HC12-Treiber von SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.
Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung K4W1G1646E-HC12.
Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.
Spezifikationen
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.32 |
Access Time-Max | 0.225 ns | Clock Frequency-Max (fCLK) | 800 MHz |
I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 4,8 |
JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | Memory Density | 1073741824 bit |
Memory IC Type | DDR3 DRAM | Memory Width | 16 |
Number of Terminals | 96 | Number of Words | 67108864 words |
Number of Words Code | 64000000 | Organization | 64MX16 |
Output Characteristics | 3-STATE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Power Supplies | 1.5 V | Qualification Status | Not Qualified |
Refresh Cycles | 8192 | Sequential Burst Length | 4,8 |
Standby Current-Max | 0.01 A | Supply Current-Max | 0.29 mA |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.5 V | Surface Mount | YES |
Technology | CMOS | Terminal Form | BALL |
Terminal Pitch | 0.8 mm | Terminal Position | BOTTOM |
Servicerichtlinien und andere
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