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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4X51163PI-FGC6 +BOM

Hersteller:

SAMSUNG
Herstellerteil #:

K4X51163PI-FGC6
Datenblatt:

K4X51163PI-FGC6 Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

BGA
RoHS:
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4X51163PI-FGC6

Hauptmerkmale

1.8V power supply, 1.8V I/O power
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Four banks operation
1 /CS
1 CKE
Differential clock inputs(CK and CK)
MRS cycle with address key programs
- CAS Latency ( 2, 3 )
- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )
- Burst Type (Sequential & Interleave)
- Partial Self Refresh Type ( Full, 1/2, 1/4 Array )
- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )
Internal Temperature Compensated Self Refresh
Deep Power Down Mode
All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).
Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.
Edge aligned data output, center aligned data input.
No DLL; CK to DQS is not synchronized.
LDM, UDM for write masking only.
Auto refresh duty cycle
- 7.8us for -25 to 85 °C

Spezifikationen

Product Category

IC Chips

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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