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Siehe Technische Spezifikationen

KM681000CLG-7L +BOM

Integrated Circuit Memory 681000/SO/KM681000CLG/7L SAMSUNG Static RAM memory prog. volatille KX8=128 SO

Hersteller:

SAMSUNG
Herstellerteil #:

KM681000CLG-7L
Datenblatt:

KM681000CLG-7L Datenblatt (PDF)
ISSI:

ISSI
SRAM:

SRAM
Details:

Details
1 Mbit:

1 Mbit
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KM681000CLG-7L Allgemeine Beschreibung

Integrated Circuit Memory 681000/SO/KM681000CLG/7L SAMSUNG Static RAM memory prog. volatille KX8=128 SO

Hauptmerkmale

· Process Technology: TFT
·Organization: 128K x8
·Power Supply Voltage: 4.5~5.5V
·Low Data Retention Voltage: 2V(Min)
·Three state output and TTL Compatible
·Package Type: 32-DIP-600, 32-SOP-525,32-TSOP1-0820F/R

Spezifikationen

ISSI	ISSI	SRAM	SRAM
Details	Details	1 Mbit	1 Mbit
128 k x 8	128 k x 8	35 ns	35 ns
-	-	Parallel	Parallel
5.5 V	5.5 V	4.5 V	4.5 V
10 mA	10 mA	- 40 C	- 40 C
+ 85 C	+ 85 C	SMD/SMT	SMD/SMT
SOP-32	SOP-32	Tray	Tray
SDR	SDR	Yes	Yes
1	1	IS62C1024AL	IS62C1024AL
84	84	Memory & Data Storage	Memory & Data Storage
Asynchronous	Asynchronous	0.028925 oz	0.028925 oz

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