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Siehe Technische Spezifikationen

M5060TB600 +BOM

Single Rectifier Bridge Diode 600V 60A 5-Pin

Hersteller:

Sensata Technologies
Herstellerteil #:

M5060TB600
Datenblatt:

M5060TB600 Datenblatt (PDF)
Diode Type:

Three Phase
Technology:

Standard
Voltage - Peak Reverse (Max):

600 V
Current - Average Rectified (Io):

60 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an M5060TB600

M5060TB600 Allgemeine Beschreibung

What sets the M5060TB600 apart is its innovative design featuring six fully isolated IGBT chips in a parallel configuration within a compact dual inline package (DIP) module. This configuration not only allows for high power density but also enables efficient heat dissipation, making it an ideal solution for applications where space is limited. Whether you are looking to optimize the performance of your motor drive or improve the efficiency of your power supply, the M5060TB600 is the power module you can count on for reliable and consistent operation. Experience the benefits of Mitsubishi Electric's cutting-edge technology with the M5 series power module

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesBridge Rectifiers	Series	-
Diode Type	Three Phase	Technology	Standard
Voltage - Peak Reverse (Max)	600 V	Current - Average Rectified (Io)	60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 50 A	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type	Chassis Mount	Product Category:	Discrete Semiconductor Modules
Product:	Diode Power Modules	Type:	SCR Module
Technology:	Si	Vf - Forward Voltage:	1.35 V
Vr - Reverse Voltage:	600 V	Mounting Style:	Screw Mounts
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 125 C
Series:	M50 Diode	Configuration:	Series Connection - 2 Diodes
Output Current:	60 A	Product Type:	Discrete Semiconductor Modules
Factory Pack Quantity:	15	Subcategory:	Discrete Semiconductor Modules
Unit Weight:	3.739040 oz

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