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Siehe Technische Spezifikationen

MBT6429DW1T1 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 700MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

MBT6429DW1T1
Datenblatt:

MBT6429DW1T1 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MBT6429DW1T1

MBT6429DW1T1 Allgemeine Beschreibung

With its general-purpose amplifier capabilities, the MBT6429DW1T1 is a handy component for any electronics enthusiast or engineer. Its dual NPN bipolar design enables it to handle various amplifier tasks efficiently, while its SOT-363/SC-88 package ensures that it can be easily mounted on surfaces with limited space. Whether you're designing a new circuit or replacing a transistor in an existing project, this versatile component is sure to meet your needs

Hauptmerkmale

Pb-Free Package is Available

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	55 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	600 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	150 mW
Gain Bandwidth Product fT	700 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	500	Height	0.9 mm
Length	2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.25 mm
Unit Weight	0.000988 oz

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