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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MMBZ27VALT1G +BOM

SOT-23 Surge Protection Diode MMBZ27VALT1G

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MMBZ27VALT1G
Datenblatt:

MMBZ27VALT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

318-08
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMBZ27VALT1G

MMBZ27VALT1G Allgemeine Beschreibung

These dual monolithic silicon zener diodes are designed for applications requiring transient overvoltage protection capability. They are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as computers printers business machines communication systems medical equipment and other applications. Their dual junction common anode design protects two separate lines using only one package. These devices are ideal for situations where board space is at a premium.

Hauptmerkmale

Suitable for High-Density Applications
Highly Reliable and Consistent Performance
Low Power Consumption for Energy Efficiency
Fully Compliant with Automotive Standards
Achieves High Surge Current Handling
Compact Size for Space-Constrained Designs

Anwendung

Motor Speed Regulation
Audio Signal Conditioning
Network Signal Isolation

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	318-08	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	N
VZ Typ (V)	27	P Max (W)	0.225
Pricing ($/Unit)	$0.0224Sample

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..