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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MMBZ5V6ALT1G +BOM

Dual common anode zener diode for protection

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MMBZ5V6ALT1G
Datenblatt:

MMBZ5V6ALT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

318-08
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMBZ5V6ALT1G

MMBZ5V6ALT1G Allgemeine Beschreibung

The MMBZ5V6ALT1G is a dual monolithic silicon Zener diode designed to provide transient overvoltage protection for a wide range of applications. This particular product is tailored for use in voltage and ESD sensitive equipment, such as computers, printers, communication systems, and medical devices. Its unique dual junction common anode design allows for the protection of two separate lines using just one package, making it an efficient choice for situations where board space is limited. With its compact size and versatile application, this Zener diode is an ideal solution for electronic equipment manufacturers looking to ensure the reliability and longevity of their products

Hauptmerkmale

Rapid Prototyping Capabilities
Quick Turnaround Times
High-Quality Output Guaranteed
Increased Productivity Levels

Anwendung

Noise Suppression
Signal Conditioning
Overvoltage Protection

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	318-08	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	N
VZ Typ (V)	5.6	P Max (W)	0.225
Pricing ($/Unit)	$0.0204Sample

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