Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MPQ6100A TIN/LEAD +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 60Vcbo 45Vc 5.0Vebo 4pF

Hersteller:

Central Semiconductor
Herstellerteil #:

MPQ6100A TIN/LEAD
Datenblatt:

MPQ6100A TIN/LEAD Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MPQ6100A TIN/LEAD

MPQ6100A TIN/LEAD Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 45V 50MHz 3W Through Hole TO-116

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	-	Pd - Power Dissipation	3 W
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz	Series	MPQ6100
Continuous Collector Current	-	DC Collector/Base Gain hfe Min	125
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	Transistors	Technology	Si

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..