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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MR25H40MDFR +BOM

High capacity storage

Hersteller:

Everspin Technologies
Herstellerteil #:

MR25H40MDFR
Datenblatt:

MR25H40MDFR Datenblatt (PDF)
Interface Type:

SPI
Memory Size:

4 Mbit
Organization:

512 k x 8
Data Bus Width:

8 bit
EDA/CAD Modelle:

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MR25H40MDFR Allgemeine Beschreibung

One of the key features of the MR25H40MDFR is its non-volatile memory technology, providing reliable data retention even in challenging environmental conditions. Unlike traditional EEPROM and Flash memory solutions, the ferroelectric material used in this module offers high endurance and fast write speeds, making it a superior choice for critical data storage applications

Hauptmerkmale

No write delays
Unlimited write endurance
Data retention greater than 20 years
Automatic data protection on power loss
Fast, simple SPI interface, up to 50 MHz clock rate with MR20H40.
3.0 to 3.6 Volt power supply range
Low-current sleep mode
Industrial (-40 to 85°C), Extended (-40 to 105°C), and AEC-Q100 Grade 1 (-40 to 125°C) temperature range options.
Available in 8-pin DFN or 8-pin DFN Small Flag, RoHS-compliant packages.
Direct replacement for serial EEPROM, Flash, and FeRAM
MSL Level

Spezifikationen

Product Category	MRAM	Interface Type	SPI
Memory Size	4 Mbit	Organization	512 k x 8
Data Bus Width	8 bit	Mounting Style	SMD/SMT
Access Time	25 ns	Supply Voltage - Min	3 V
Supply Voltage - Max	3.6 V	Operating Supply Current	46.5 mA
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Series	MR25H40	Pd - Power Dissipation	600 mW
Product Type	MRAM	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Memory & Data Storage	Unit Weight	0.001319 oz

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