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Siehe Technische Spezifikationen

MT4KTF25664HZ-1G9P1 +BOM

DRAM Module DDR3L SDRAM 2Gbyte 204SODIMM Tray

Hersteller:

MICRON TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

MT4KTF25664HZ-1G9P1
Datenblatt:

MT4KTF25664HZ-1G9P1 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.36
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT4KTF25664HZ-1G9P1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MT4KTF25664HZ-1G9P1 Allgemeine Beschreibung

The MT4KTF25664HZ-1G9P1 memory module from Micron Technology offers reliable and high-speed performance for a wide range of computing tasks. With a clock speed of 1333MHz and a CAS latency of 9, this DDR3 SDRAM module ensures smooth and efficient operation, whether you're browsing the web, editing documents, or playing games. The 2GB capacity is suitable for multitasking and running demanding applications without any lag

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day	Access Mode	SINGLE BANK PAGE BURST
Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY	JESD-30 Code	R-XZMA-N204
Length	67.6 mm	Memory Density	17179869184 bit
Memory IC Type	DDR3L DRAM MODULE	Memory Width	64
Number of Functions	1	Number of Ports	1
Number of Terminals	204	Number of Words	268435456 words
Number of Words Code	256000000	Operating Mode	SYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	70 °C	Operating Temperature-Min
Organization	256MX64	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Seated Height-Max	30.15 mm	Self Refresh	YES
Supply Voltage-Max (Vsup)	1.45 V	Supply Voltage-Min (Vsup)	1.283 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.35 V	Surface Mount	NO
Technology	CMOS	Temperature Grade	COMMERCIAL
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Pitch	0.6 mm
Terminal Position	ZIG-ZAG	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Width	3.8 mm

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