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Siehe Technische Spezifikationen

MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 +BOM

SODIMM DDR4 32GB Memory Modules (Item: MTA16ATF4G64HZ-3G2E1)

Hersteller:

MICRON TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

MTA16ATF4G64HZ-3G2E1
Datenblatt:

MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Date Of Intro:

2020-04-16
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MTA16ATF4G64HZ-3G2E1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Allgemeine Beschreibung

The MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 module's advanced memory technologies, including On-Die Termination, Dynamic ODT, and Pseudo Open Drain, ensure optimal performance and reliability. Its CAS latency of 22 facilitates quick data access, while its ECC functionality makes it suitable for applications requiring error detection and correction. Whether for high-speed data processing or mission-critical operations, this module delivers the performance, efficiency, and data integrity essential for today's computing needs

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Date Of Intro	2020-04-16
Access Mode	DUAL BANK PAGE BURST	Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH
Clock Frequency-Max (fCLK)	1600 MHz	JESD-30 Code	R-XDMA-N260
Memory Density	274877906944 bit	Memory IC Type	DDR4 DRAM MODULE
Memory Width	64	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	260
Number of Words	4294967296 words	Number of Words Code	4000000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	95 °C
Operating Temperature-Min		Organization	4GX64
Self Refresh	YES	Standby Current-Max	0.608 A
Supply Current-Max	1.808 mA	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.2 V
Surface Mount	NO	Technology	CMOS
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL

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