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MW4IC915NBR1 +BOM

GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 860-960 MHz, 15 W, 26 V

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MW4IC915NBR1
Datenblatt:

MW4IC915NBR1 Datenblatt (PDF)
Description:

GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 860-960 MHz, 15 W, 26 V
Number Of Pins:

16
Mounting Style:

SMD/SMT
Type:

Power Amplifiers
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MW4IC915NBR1

MW4IC915NBR1 Allgemeine Beschreibung

RF Amplifier IC Cellular, CDMA, EDGE, GSM, TDMA, WCDMA 750MHz ~ 1GHz TO-272 WB-16

Hauptmerkmale

GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 860-960 MHz, 15 W, 26 V

Spezifikationen

Security Status	COMPANY PUBLIC	Description	GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 860-960 MHz, 15 W, 26 V
Number of pins	16	Product Category	RF Amplifier
Mounting Style	SMD/SMT	Type	Power Amplifiers
Technology	Si	Operating Frequency	1 GHz
Gain	30 dB	Qualification	AEC-Q100
Series	MW4IC915N	Input Return Loss	15 dB
Moisture Sensitive	Yes	Number of Channels	1 Channel
Product Type	RF Amplifier	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	Wireless & RF Integrated Circuits	Supply Voltage - Max	28 V
Supply Voltage - Min	26 V	Unit Weight	0.067454 oz

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