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Siehe Technische Spezifikationen

MWE6IC9100NBR1 +BOM

MWE6IC9 amplifies cellular signals with high power and low noise for reliable communication

Hersteller:

Nxp
Herstellerteil #:

MWE6IC9100NBR1
Datenblatt:

MWE6IC9100NBR1 Datenblatt (PDF)
OrderingCode:

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Pack_type:

REEL
Price_flg:

N
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MWE6IC9100NBR1

MWE6IC9100NBR1 Allgemeine Beschreibung

The MWE6IC9100NBR1 RF power transistor from NXP Semiconductors is a top-of-the-line silicon NPN microwave power transistor specifically designed for 900 MHz applications. With a maximum power output of 100 watts and a gain of 12 dB, this transistor is a powerhouse in its category. Operating within a frequency range of 860-960 MHz, it can handle high power levels with exceptional linearity, ensuring reliable performance in demanding conditions

Hauptmerkmale

Pulse repetition frequency up to 100 kHz
Minimum pulse width of 10 ns
Peak current limit protection
Safe operating area monitoring

Anwendung

Efficient wireless communication
Seamless signal distribution
Secure industrial networks

Spezifikationen

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salesNum	MWE6IC9100NBR1	pack_type	REEL
price_flg	N	pack_desc	Reel 13" Q2/T3 in Drypack
minPackQty	500	status	No Longer Manufactured

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