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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

N25Q128A11EF840E +BOM

Plastic molded package with 8 pins

Hersteller:

Micron Technology Inc.
Herstellerteil #:

N25Q128A11EF840E
Datenblatt:

N25Q128A11EF840E Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an N25Q128A11EF840E

N25Q128A11EF840E Allgemeine Beschreibung

The N25Q128A11EF840E is designed for use in consumer electronics, industrial applications, automotive systems, and various embedded systems that require reliable non-volatile memory storage. Its reputation for reliability, durability, and high performance has made it a popular choice among designers and developers seeking a trusted flash memory solution for their projects

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.51	Clock Frequency-Max (fCLK)	108 MHz
Data Retention Time-Min	20	Endurance	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 Code	R-PDSO-N8	Length	8 mm
Memory Density	134217728 bit	Memory IC Type	FLASH
Memory Width	1	Number of Functions	1
Number of Terminals	8	Number of Words	134217728 words
Number of Words Code	128000000	Operating Mode	SYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Organization	128MX1	Parallel/Serial	SERIAL
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Programming Voltage	1.8 V
Qualification Status	Not Qualified	Seated Height-Max	1 mm
Serial Bus Type	SPI	Standby Current-Max	0.00001 A
Supply Current-Max	0.02 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	2 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Pitch	1.27 mm	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Type	NOR TYPE
Width	6 mm	Write Protection	HARDWARE/SOFTWARE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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