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Siehe Technische Spezifikationen

NAND01GW3B2BN6E +BOM

NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 25us 48-Pin TSOP Tray

Hersteller:

micron technology
Herstellerteil #:

NAND01GW3B2BN6E
Datenblatt:

NAND01GW3B2BN6E Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

TSOP-48
Produktart:

Memory
RoHS:
Lebenszyklus:

OBSOLETE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NAND01GW3B2BN6E

NAND01GW3B2BN6E Allgemeine Beschreibung

When it comes to reliability, the NAND01GW3B2BN6E doesn't disappoint. With an expected program/erase cycle endurance of up to 10,000 cycles, this NAND flash memory chip is built to last. Its built-in error correction and bad block management algorithms further enhance data integrity, ensuring that your information remains secure and accessible. Whether you're working on a high-performance computing project or need a dependable storage solution for your mobile device, the Micron Technology NAND01GW3B2BN6E is up to the task

Spezifikationen

Product Category	NAND Flash	Product Type	NAND Flash
Subcategory	Memory & Data Storage

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