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PDTA143ZT +BOM

NXP Semiconductors

PDTA143ZT Allgemeine Beschreibung

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.

Hauptmerkmale

  • 100 mA output current capability
  • Built-in bias resistors
  • Simplifies circuit design
  • Reduces component count
  • Reduces pick and place costs
  • AEC-Q101 qualified

Anwendung

  • Digital applications in automotive and industrial segments
  • Control of IC inputs
  • Cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications
  • Switching loads

Spezifikationen

Source Content uid PDTA143ZT Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Transferred Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95 Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
Collector Current-Max (IC) 0.1 A Collector-Base Capacitance-Max 5 pF
Collector-Emitter Voltage-Max 50 V Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 100 JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 0.25 W Power Dissipation-Max (Abs) 0.25 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Tin (Sn) Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 0.3 V

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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