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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PDTD123YT +BOM

NXP Semiconductors

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PDTD123YT
Datenblatt:

PDTD123YT Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

0.5 A
DC Current Gain-Min (hFE):

70
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PDTD123YT

PDTD123YT Allgemeine Beschreibung

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB123YT

Hauptmerkmale

Built-in bias resistors
Simplifies circuit design
500 mA output current capability
Reduces component count
Reduces pick and place costs
± 10 % resistor ratio tolerance

Anwendung

Digital application in industrial segment
Controlling IC inputs
Cost-saving alternative to BC817 series in digital applications
Switching loads

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	0.5 A
DC Current Gain-Min (hFE)	70	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.25 W	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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