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Siehe Technische Spezifikationen

PM50CSD120 +BOM

Unveil the potential of the PM50CSD120 IGBT module, engineered to meet demanding power system requirements

Hersteller:

Mitsubishi Electric
Herstellerteil #:

PM50CSD120
Datenblatt:

PM50CSD120 Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2.4 V

PM50CSD120 Allgemeine Beschreibung

Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 50 A Power Module

Hauptmerkmale

Complete Output Power Circuit
Gate Drive Circuit
Protection Logic
– Short Circuit
– Over Current
– Over Temperature
– Under Voltage
Low Loss Using 4th Generation IGBT Chip

Spezifikationen

Product Category	IGBT Modules	Product	IGBT Silicon Modules
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.4 V	Continuous Collector Current at 25 C	50 A
Pd - Power Dissipation	328 W	Minimum Operating Temperature	- 20 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	PCB Mount
Product Type	IGBT Modules	Series	PM50CSD
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Technology	Si

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